プラズマcv d シリコン薄膜 » 44ant.biz

6.プラズマCVD法による薄膜シリコン太陽電池の工業化に向.

大気圧プラズマCVD 法は、一般的にプラズマ励起に用いられている電源周波数(13.56 MHz)よりも 一桁程度高い150 MHz(VHF 帯)の高周波により大気圧下で安定なグロープラズマを発生させ、高密度 に生成される反応種を利用した成膜法である[6.3-1~3]。. Geナノ構造 薄膜が成長する様式は、基板表面の状態に依存するため、基板表面を改質・制御することで、優れた特性をもつ薄膜材料を形成することが可能になります。図5は、ガラス基板表面にシリコン結晶成長の核となるゲルマニウムナノ結晶を作製した例を示しています。. 被処理基板に膜厚および膜質が均一な薄膜、特に結晶質シリコン薄膜を高速度で成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。 - プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 - 特開2001−93843 - 特許情報.

プラズマCVDによる水素化アモルファスシリコン薄膜の形成に関するもっとも早い時期の特許出願はアメリカのRCA社の米国特許4064521号(対応日本出願は特開昭52-16990号(特公昭53-37718号))と思われます。アメリカでの最初. プラズマCVD窒化膜の組成制御技術 る。2種類の装置で成膜した一連のサンプルについて,膜 中窒素量に対するρの変化を図2に示す。この結果から,ρの値は組成(あるいはn)に対しほぼ指数関数的に増加 する。しかし,成膜装置や成膜条件により同じ組成でもρ. 75 4. 薄膜技術 4.1 エレクトロニクスデバイスと薄膜の関係 国語辞典には、薄膜とは物の表面を覆う薄い膜であるして、代表的薄膜は生体膜、 油膜、固体薄膜等があると説明している。実際我々が日常的に使う「薄膜」という言.

プラズマCVDによる薄膜の堆積と、スパッタによるエッチングを同時に行う方法。3mTorrと低圧ですが、プラズマ密度が高いため成長速度は通常のプラズマCVDと同等。反応ガスの飛来方向の異方性が高く、エッチングをしながら堆積させるの. プラズマCVD plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD は、種々の機能薄膜の形成に用いられる化学気相成長CVD法の一種であり、化学反応を活性化させるエネルギー源として反応性プラズマを用いている。主に高周波. 57【要約】 【課題】 より安定したプラズマを生成して均一な膜厚 および膜質を有する薄膜を高速で成膜することが可能な プラズマCVD装置を提供する。 【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応 容器内に配置され、被処理基板を保持するアノード電極 と、前記反応容器内に前記. 【課題】高周波励起のプラズマCVD法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。【解決手段】成膜時のガス圧を0.0095Pa〜64Paの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Msに対する希釈ガスの. CVDとは化学的な成膜方式で、大気圧~中真空(100~10 -1 Pa)の状態において、ガス状の気体原料を送り込み、熱、プラズマ、光などのエネルギーを与えて化学反応を励起・促進して薄膜や微粒子を合成し、基材・基板の表面に吸着・堆積させる方法です。.

大気圧プラズマCVDによる 分子ふるいシリカ膜の常温常圧製.

瞬時にシリコン薄膜を融解させ、結晶成長させる手法で ある。図1にこの手法の詳細を示す。(1)まず低温 (200 )下でプラズマCVD法を用いて、ガラス基板上に アモルファスシリコン薄膜を形成する. プラズマCVD法による太陽電池用非晶質シリコン系薄膜の品質改善に関する研究 著者 浅野明彦 [著] 出版年月日 1995 請求記号 UT51-96-R357 書誌ID(国立国会図書館オンラインへのリンク) 000000301168 DOI 10.11501/3115976. 文献「低温でのプラズマ加速CVDによるシリコン薄膜成長への基板バイアス効果」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しい. プラズマCVDによるシリコン薄膜の成長過程に関する研究 / 松田彰久 資料種別: 学位論文 出版情報: 東京工業大学, 1986 著者名: 松田, 彰久 書誌ID: 1000268537. 大気圧プラズマCVD法による 高硬度薄膜の作製と大面積化 平成27年度 森 貴則 1ページ目:博士論文 表 紙記入例 2ページ目:博士論文 背表紙記入例 3ページ目:博士論文 中表紙記入例.

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 発行国 日本国特許庁(JP) 公報種別 公開特許公報(A) 公開番号 特開2001-93843(P2001-93843A) 公開日 平成13年4月6日. プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 発行国 日本国特許庁(JP) 公報種別 公開特許公報(A) 公開番号 特開2001-93842(P2001-93842A) 公開日 平成13年4月6日. シリコン薄膜太陽電池に用いられるアモルファスシリコン薄膜を作製するための技術として平行平板型プラズマCVD法が採用されている。このような従来の平行平板型プラズマCVD装置を図4に示す。図4に示す従来のプラズマCVD装置. 大陽日酸技報 No. 32 2013 -31 - 技術紹介 PE-CVD シリコン窒化膜用シラン代替材料の開発 Development of SiH 4 Alternative Source for PE-CVD SiN Film 図1 に薄膜の屈折率とFTIR スペクトルを示す。一般 にSiN の屈折率はおよそ1. プロジェクト名 カーボン薄膜太陽電池用プロセスの確立とそのプラズマCVD装置の作製 基盤技術分野 複合・新機能材料 対象となる産業分野 環境・エネルギー、半導体、エレクトロニクス 産業分野でのニーズ対応 高機能化(新たな機能の付与・追加)、高性能化(既存機能の性能向上)、高性.

  1. 高周波プラズマCVD法は、特に薄膜シリコン膜の形成への利用をきっかけとして広く用いられるようになった。 液晶 など平面ディスプレイの薄膜トランジスタ素子TFTや、 薄膜シリコン太陽電池 の製造で使われるほか、超LSIの層間絶縁膜の形成などにも用いられる [1] 。.
  2. などの薄膜シリコン層の形成にはプラズマCVD法が一般 に用いられる.薄膜シリコン層は太陽電池の出力特性を左 右する心臓部であると同時に,薄膜シリコン層を形成する プラズマCVD装置は太陽電池製造設備投資の中でも最大.
  3. プラズマCVD で薄膜を形成する応用事例のほとんどは、 これらの両方かどちらかの特長を利用したものとなってい る。例えば、高分子表面上の超はっ水膜5、フレキシブル な高分子基板上へのアモルファスシリコン薄膜太陽電池6、.
  4. プラズマCVDは,多くの薄膜作製法の中でも,最も自 由度が高く,多様性に富んだ手法である.その主な理由 に,以下の事柄があげられる..

57【要約】 【課題】 パウダーの発生を抑制しつつ高速成膜を達成 し、かつ太陽電池等の光半導体デバイスとしても充分に 活用できる高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及び その製造方法に用いるプラズマCVD装置を提供するこ とを課題とする。. プラズマを用いることで、熱CVDに比べて、300 の低温でも成膜が可能で、基板との反応も防げることから、プラスチックなどの非耐熱基板へも成膜が可能です。 大面積化も容易で、膜厚の均一な膜を形成できる、などの多くの特徴を持っ.

微結晶シリコン薄膜の製造方法としては、シラン(SiH4)と水素(H2)との混合ガスを用いたプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法によってガラス基板上に堆積させるのが一般的である。すなわち、真空排気された真空.

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