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プラズマCVD(plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)は、プラズマを援用する型式の化学気相成長CVDの一種である [1]。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させる. プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)で生成さ れる水素を含んだ窒化アモルファスシリコン薄膜(以下,a-SiN:Hまたは窒化膜と記す)は,その組成により半導 体から絶縁体まで膜物性が大きく変化するため,半導体デ バイスへの. 2017/07/01 · 名称 【NPF081】プラズマCVD薄膜堆積装置SiN メーカー サムコ 課金額 2020年度単価表 導入年月日 2017/07/01土 仕様 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOS原料からSiO2を、SN-2原料液体有機ケイ素化合物からSi3N4を成膜することができます。.

シリコン窒化膜SiN 膜は緻密な構造をしており,半 導体デバイスやMEMSデバイスのパッシベーション膜,水分バリア膜などに使用されている。加えて,SiN 膜は 非常に優れた絶縁性を持つため絶縁膜にも使用される。一般にプラズマCVD. PE-CVDプラズマCVD 酸化膜SiO2 窒化膜SiN オキシナイトライド膜SiON 最大Φ8″まで対応。その他異形基板も対応可能。 金属膜 絶縁膜 形成 スパッタリングPVD Ti / Cu / Cr / Niのターゲットを保有 その他膜種も検討可能. プラズマ化学気相堆積chemical vapor deposition; CVDと は、プラズマを、薄膜の形成(成膜)を目的として利用し た材料プロセスであり、集積回路、太陽電池、液晶ディス. プラズマCVDの原理と特徴をご紹介します。使用機器の仕様や、形成薄膜の性能評価データなどもご確認いただけます。特徴である”付きまわりの良い膜形成”でお客様のご要望にお応えします。.

る。一般にSiN 膜はモノシランSiH 4およびアンモニア NH 3または窒素N 2を原料として基板温度350 前後 でプラズマCVDPE-CVD法を利用して成膜されてい る。近年,下地層の多様化に伴い成膜温度の低温化が 望まれている. 来のプラズマCVD技術に加え、液体原料を用いたプラズマCVD技 術(LS-CVD®)の開発を行ってきた。これらのCVD技術にさらに新 たな付加価値を設け、かつ市場要求に対応するために従来の 13.56MHzに低周波を加えた2周波による. この多様性ゆえに,プラズマCVDは,無機物質から有 機物質,さらにそれらの複合物質まで,さまざまな物質 の成膜に応用できる.特に,膜堆積に関係する物理・化. このSiN系絶縁膜は、既に形成されたAl系配線等の低融点材料層にダメージを与えないように、プラズマCVD法といった低温での成膜が可能な化学的気相成長(CVD)法によって成膜される。そして、原料ガ.

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