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小ヘリコン源プラズマのRFアンテナ加速 都木恭一郎*1, *6,篠原俊二郎*2,谷川 隆夫*3,羽田 亨*2,船木 一幸*4,田中 良和*1,横井 賢二*1,Kostiantyn P. Shamrai*5 A Compact Helicon Source Plasma. このプラズマ源はICPタイプの RF高密度プラズマ により、各種原料ガスを処理し、成膜実験、エッチング実験などにご使用頂けます。. プラズマCVDにおいては、直流DC・高周波RF・マイクロ波などを供給することで、原料ガスをプラズマ状態にする。 これによって原料ガスの原子や分子は励起され、化学的に活性となる [1]。 励起方法 プラズマCVDには励起方法.

RF Plasma souRces Riber offers the largest range of RF sources on the market. RF source models cover the needs from research to production machines.Different materials for the discharge cavity are available to configure the. 文献「COソースガスからRFプラズマCVDにより製作したダイヤモンド様カーボン薄膜の特性評価」の詳細情報です。J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。. [9]によりプラズマ電位のRF成分 を測定した.また 容器壁におけるフルオロカーボン膜の堆積速度は,容器 壁上に取り付けたシリコン基板に堆積した膜の厚さを段 差計により測定し,それを堆積時間で割ることにより求 めた. Fig.1. 308 14 1 成蹊大学理工学部物質生命理工学科(〒180 8633 東京都武蔵 野市吉祥寺北町3 3 1) ―― J. Vac. Soc. Jpn. 講座 プラズマの基礎 中野武雄 1 Fundamentals of Plasma for Vacuum Engineers Takeo NAKANO 1 1Dept. of Materials and Life Science, SEIKEI University, 3 3 1, Kichijoji-Kita, Musashino-shi, Tokyo 180 8633, Japan.

1.イオン源プラズマ 石川順三 (京都大学工学部) (1993年4月8日受理) Ion.Source Plasma Junzo lshikawa (Rece星ved Apri夏8,1993) Abstract The properties of ion-source plasma are. 2002/02/06 · RFプラズマというものを半導体分野から聞きますが、RFはなんの略語で、何を意味するものでしょうか。次にRFプラズマに関しても説明してください。よろしくお願いします。Radio Frequency で高周波のことですね。電子レンジ的世界で13.. 41 3 放電・プラズマ技術 3.1 放電・プラズマの工業的応用 表3-1 に放電・プラズマの工業的応用例をまとめて示す。この中で薄膜作製とエッチ ング・灰化はデバイスプロセスの主要技術である。それらの中から具体的に4 つの応 用例を取上げて簡単に放電・プラズマを利用する効果や意味を説明. RF FIELDS IN LOW PRESSURE DISCHARGES • Considermainlylosslessplasmaω ν m p = 0 1− ω2 pe ω2 • ForalmostallRFdischarges,ω pe ω =⇒ p isnegative • Typicalcase: p =−1000 0 Sheath Plasma Sheath p 0 E˜ = J˜.

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